Intelが2024年4月18日、アメリカ・オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点で、業界初となる商用高開口数(NA)極端紫外線(EUV)リソグラフィの組み立てを完了したと発表しました。このEUVリソグラフィはオランダの半導体装置大手・ASML製であり、1.4nmプロセスに相当する「14A」プロセスノードの半導体製造に向けた重要な一歩と位置づけられています。
https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-foundry-opens-new-frontier-chipmaking.html Intel completes assembly of first commercial High-NA EUV chipmaking tool — addresses cost concerns, preps for 14A process development in 2025 | Tom's Hardware A decade of groundbreaking science and systems engineering deserves a bow! 🎀 We're excited and proud to ship our first High NA EUV system to TWINSCAN EXE:5000 High NA EUVは250個以上の木箱に入った状態で輸送され、貨物機がシアトルに到着した後はトラックでオレゴン州の研究開発拠点に運び込まれ、Intelのチームによる組み立てが進められていました。 そしてIntelは4月18日に、世界で初めて商用の高NA EUVリソグラフィであるTWINSCAN EXE:5000 High NA EUVの組み立てを完了したと報告しました。TWINSCAN EXE:5000 High NA EUVは、光を集めて集束する能力の尺度であるNAが従来の「0.
33」から「0.55」に向上しており、同様の形状に対してより高いイメージングコントラストを提供可能で、露光あたりの光量が少なくなるとのこと。 これにより、TWINSCAN EXE:5000 High NA EUVは既存EUVリソグラフィ1.7倍小さい形状をプリントでき、1回の露光で最大2.9倍のトランジスタ密度向上を実現するとされています。Intelは将来的なロードプロセスマップに備え、TWINSCAN EXE:5000 High NA EUVのキャリブレーションを行っていると述べました。 Intelのリソグラフィ・ハードウェアおよびIntel Foundryロジック技術ソリューション担当ディレクターのマーク・フィリップス氏は、「高NA EUVが加わったことで、Intelは業界で最も充実したリソグラフィ・ツールボックスを手に入れました。これによりIntelは、Intel 18Aを超える将来のプロセス能力を推進することができます」とコメントしました。
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